科技圈電子界的人都知道Intel 14nm工藝的過人之處，近日，日本同行PCWatch對Intel新工藝做了一番解析，更加凸顯世界第一的芯片巨頭有多強悍。
Intel 22nm曾經在工藝上率先使用了3D立體晶體管，到14nm則將進化到第二代；此外，其他廠商也陸續(xù)發(fā)布了類似的FinFET，包括臺積電16nm、三星/GlobalFoundries 14nm。
來看看它們的間距數據對比：
Intel 14nm的柵極間距為70nm，內部互聯最小間距為52nm，這兩項指標分別比22nm縮小了22%、35%。
相比之下，臺積電16nm、三星/GF 14nm的柵極間距分別是90nm、78nm，前者只相當于Intel 22nm的水平，后者也略弱一些，而內部互聯最小間距則都是64nm，相比于Intel大了23%。
可以說間距越小就可以把晶體管做得更小、更密，對于電路集成度、芯片性能等指標的重要性不言而喻。
