在如今的芯片制造領(lǐng)域中，英特爾算是能夠擠進前三排名的公司之一。雖然其他的廠商正在大力的發(fā)展3D FinFET技術(shù)，試圖與因特爾相抗衡，但是卻還沒有一家能夠做到真正對英特爾產(chǎn)生威脅。而目前，這一現(xiàn)象似乎要被IBM所打破了。
根據(jù)相關(guān)爆料，IBM很有可能將在2014年的年底將14納米的技術(shù)正式投產(chǎn)到芯片生產(chǎn)過程中。另外，IBM還會還會透露其高密度的存儲器、可擴展的功率分配以及600平方厘米的SoC。但是現(xiàn)在不確定的是這些技術(shù)是否將依賴于三星。
大部分人都清楚，當某個行業(yè)的兩家龍頭企業(yè)產(chǎn)生競爭的時候，受益最大的往往是市場中的消費者。目前英特爾正努力開發(fā)其最新的FinFET設(shè)計，而IBM的兩大FinFET技術(shù)選擇可能更容易吸引用戶。
既然是比較相似的產(chǎn)品，兩家公司各自的競爭力又在哪里呢?這就要從IBM和英特爾的發(fā)展戰(zhàn)略方向上說起了。英特爾還是一貫性的使用傳統(tǒng)塊狀硅來支持其努力FinFET設(shè)計，這也可以使其在2-4年內(nèi)在競爭對手中保持領(lǐng)先。從2011年開始，英特爾已經(jīng)在22nm Ivy Bridge技術(shù)和Haswell微架構(gòu)處理器中使用FinFET制程。最近英特爾還宣布其成功移植FinFET技術(shù)到14nm Broadwell微架構(gòu)，這是最新的Core M處理器系列的核心。
而IBM方面則使用了造價較為高昂的SOI基板來研發(fā)相關(guān)芯片。這樣可以簡化制造過程，而且可以實現(xiàn)芯片的低功耗性能。不過英特爾這面也不示弱，將揭秘其加工“秘方”，包括參雜技術(shù)。
不走尋常路的IBM
基于更為昂貴的SOI板，IBM將創(chuàng)造一種全新的14納米制程方法。并且此款14nm FinFET比22nm的處理速度快25%。與此同時，IBM也會展示全球最小、最密集的DRAM單元，僅僅只有0.0174平方厘米大小。IBM還擁有獨有的制程，可同時實現(xiàn)低功耗和高速運行功能。該公司還會在此次競爭中大肆炫耀其15級銅互連技術(shù)來促進功率分配，這些都會成為IBM與英特爾之爭的有力因素。
將技術(shù)實體化至產(chǎn)品上，那么此次PK戰(zhàn)的看點就比較明顯了。英特爾將主打基于14納米技術(shù)的FinFET晶體管，而IBM將祭出造價更為高昂的SOI板，來為自家的產(chǎn)品保駕護航。在戰(zhàn)前的前期宣傳中，兩家公司都在展示著各種各樣的數(shù)據(jù)，但是真正能夠考驗一款產(chǎn)品的，恐怕還是上市之后的實際使用效果和消費者的反應(yīng)。
