2015 年 7 月 13 日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON），正擴展受高度評價的1/3英寸100萬像素（MP）圖像傳感器產(chǎn)品陣容，推出以公司首款背照式（BSI）傳感器技術(shù)的早期樣品用于汽車成像市場。相較當(dāng)前領(lǐng)先市場用于先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的AR0132AT CMOS 圖像傳感器，該創(chuàng)新的新的BSI傳感器技術(shù)提供好4倍的微光信噪比，增加40%的可見光靈敏度，和提升超過60%的近紅外（NIR）性能。
安森美半導(dǎo)體汽車和掃描分部副總裁Sandor Barna說：“這新的BSI技術(shù)帶給汽車市場的優(yōu)勢是令人興奮的?；诖思夹g(shù)的最先進的BSI器件，我們是提供早期樣品階段，它具備真正領(lǐng)先業(yè)界的微光性能，彰顯我們持續(xù)投資于汽車成像技術(shù)的承諾?！?
AR0136AT光學(xué)制式CMOS數(shù)字圖像傳感器
首款采用這新技術(shù)的產(chǎn)品將是AR0136AT 1/3英寸光學(xué)制式CMOS數(shù)字圖像傳感器，提供1280x960的分辨率和3.75微米BSI像素（p）。AR0136AT支持線性和高動態(tài)范圍（HDR）模式，是一個單芯片HDR方案，在HDR模式下具有120分貝（dB）動態(tài)范圍。它的輸出像素率為74.25MP/秒（最大值），由此產(chǎn)生的幀率為在960p分辨率時的45幀每秒（fps）和在720p分辨率時的60幀每秒。它的工作結(jié)溫范圍是-40 °C 至125 °C，并完全符合AEC-Q100。工程樣品將于2015年第三季度提供，計劃于2016年初量產(chǎn)。
