VisIC Technologies欣然宣布推出新一代高級低損耗開關(guān)V22S65A（配有內(nèi)部碳化硅二極管）和V22N65A（不配有內(nèi)部碳化硅二極管）。
這一新版VisIC高級低損耗開關(guān)產(chǎn)品系列可以顯著減少米勒效應(yīng)（MILLER effect），支持輕松提供將被用于基于VisIC的設(shè)計的標準驅(qū)動電路。這些新設(shè)備還能幫助降低關(guān)于特殊應(yīng)用所用材料的費用。
新一代高級低損耗開關(guān)
V22系列在拓撲方面非常有效，能被用于零電壓開關(guān)（Zero Voltage Switching）或零電流開關(guān)（Zero Current Switching）拓撲領(lǐng)域。在650伏氮化鎵/碳化硅MOSFET晶體管中，該系列擁有最低的導通電阻（Rdson），而且可以憑借超過100V/nS的壓擺率，實現(xiàn)效率超高的功率變換。
此外，由于閾值電壓超過了5伏，新款設(shè)備在惡劣的EMI（電磁干擾）環(huán)境中也能很好地工作。
VisIC Technologies已經(jīng)憑借其半橋（Half Bridge）演示電路板的強大性能，展示了其所創(chuàng)造的全球紀錄——在輸出功率達2.5KW的硬切換拓撲中，頻率達200kHz時，最高效率超過99.3%。
