意法半導體負責設計支持和服務的副總裁Philippe Magarshack說：“就FD-SOI本身而言，F(xiàn)D-SOI配備了ASIC和SoC設計工具，從而實現(xiàn)最優(yōu)性能的同時確保溫度不超過安全限制。而且較傳統(tǒng)制造技術，F(xiàn)D-SOI技術可在大幅提升性能的同時大幅降低功耗，因此ST-Ericsson選擇采用意法半導體的FD-SOI技術設計未來的移動平臺?！?
Memoir Systems作為第三方知識產(chǎn)權進一步表示：“我們正在讓FD-SOI更具吸引力，并演示其簡單的移動特點?！?
意法半導體ST將是FD-SOI技術的第一個半導體供應商。作為其獨有的 FD-SOI技術為意法半導體制造28納米和20納米芯片。同時，F(xiàn)D-SOI是一種擴展和簡化現(xiàn)有平面、體硅制造方法的新技術。而FD-SOI晶體管相比同等采用傳統(tǒng)CMOS工藝的晶體管，擁有更高的制造過程工作頻率，這源于FD-SOI技術提高了晶體管的靜電特性、縮短了溝道長度。
Memoir首席執(zhí)行官Sundar Iyer說：“內(nèi)存技術的不斷突破縮短了設計時間，也提高了設計性能，這使我們的算法內(nèi)存技術有能力內(nèi)嵌入FD-SOI晶體管，這對于我們來說是一種承諾，這對我們和我們的客戶都是很重要的。期待FD-SOI技術更高性能突破，以實現(xiàn)更低工作功耗和更低待機功耗?！?
